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INA332

Low-Power,Single-Supply,CMOSINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA332

INSTRUMENTATIONAMPLIFIERS

TI1Texas Instruments

德州儀器

INA332AIDGK

INSTRUMENTATIONAMPLIFIERS

TI1Texas Instruments

德州儀器

INA332AIDGKR

Low-Power,Single-Supply,CMOSINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA332AIDGKR

INSTRUMENTATIONAMPLIFIERS

TI1Texas Instruments

德州儀器

INA332AIDGKT

Low-Power,Single-Supply,CMOSINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA332AIDGKT

INSTRUMENTATIONAMPLIFIERS

TI1Texas Instruments

德州儀器

IP332

4xDDR3DIMM,Max.32GB

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF332

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF332

N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V

Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VQSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchingSp

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

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24+
SOP8
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全新原裝
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更多ICS332M供應(yīng)商 更新時間2025-3-4 15:40:00

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