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IDK02G120C5

5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode SiC Diode

Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehaviour ?Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature ?Tightforwardvoltagedistribution ?Excellentthermalperformance ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDK02G120C5XTMA1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:SIC DISCRETE

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDH02G120C5

SiliconCarbideSchottkyDiode

Features: ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Noreverserecoverycurrent/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature ?Tightforwardvoltagedistribution ?Excellentthermalperformance ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDM02G120C5

SiliconCarbideSchottkyDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon/英飛凌
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Infineon/英飛凌
21+
PG-TO263-2
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更多IDK02G120C5供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 10:00:00