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IDT70P3517S233RMI

Package:576-BBGA,F(xiàn)CBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT70P3517S233RM

512K/256Kx36SYNCHRONOUSDUALQDR-II

FunctionalDescription Asamemorystandard,the(QuadDataRate)QDR-IISRAMinterfacehasbecomeincreasinglycommoninhighperformancenetworkingsystems.WiththeQDR-IIinterface/configuration,memorythroughputisincreasedwithoutincreasingtheclockrateviatheuseoftwounidirectiona

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IDT70P3517S233RMI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,同步 QDR II

  • 存儲容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    576-BBGA,F(xiàn)CBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    576-FCBGA(25x25)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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576-FCBGA(25x25)
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更多IDT70P3517S233RMI供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 17:23:00