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IDT70T3589S133DRI中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IDT70T3589S133DRI |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 文件大小 |
432.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
IDT |
| 中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-10 16:47:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號：
IDT70T3589S133DRI
- 功能描述：
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208QFP
- RoHS：
否
- 類別：
集成電路(IC) >> 存儲器
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
3,000
- 系列：
- 格式 -
- 存儲器：
EEPROMs - 串行
- 存儲器類型：
EEPROM
- 存儲容量：
8K(1K x 8)
- 速度：
400kHz
- 接口：
I²C，2 線串口
- 電源電壓：
1.7 V ~ 5.5 V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
8-SOIC
- 包裝：
帶卷(TR)
