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70V261L25PFG

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261L25PFG

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261L25PFG

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V261L25PFGI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V261L25PFGI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261L25PFGI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V261L25PF

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V261L25PFI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IDT70V261L25PFGI

  • 功能描述：

    IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲(chǔ)器：

    RAM

  • 存儲(chǔ)器類型：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1.125M（32K x 36）

  • 速度：

    5ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    3.15 V ~ 3.45 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    70V3579S5BCI8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IDT(Renesas收購)
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全新原裝正品
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IDT
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IDT
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 詢價(jià)
更多IDT70V261L25PFGI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 9:02:00

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