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IDT70V631S

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S_13

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S_17

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S10BC

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S10BCI

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S10BF

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S10BFI

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V631S10PRF

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDT70V631S

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,500

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    1K(128 x 8)

  • 速度：

    100kHz

  • 接口：

    UNI/O?（單線）

  • 電源電壓：

    1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-MSOP

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IDT
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NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談
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208FPBGA
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TQFP
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原裝原包假一賠十
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原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)
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20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IDT70V631S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 9:02:00

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