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IDT70V631S12BCI中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IDT70V631S12BCI
廠商型號

IDT70V631S12BCI

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

文件大小

306.74 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 19:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IDT70V631S12BCI

  • 功能描述:

    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存儲器:

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型:

    EEPROM

  • 存儲容量:

    8K(1K x 8)

  • 速度:

    400kHz

  • 接口:

    I²C,2 線串口

  • 電源電壓:

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    8-SOIC

  • 包裝:

    帶卷(TR)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原廠原裝正品現(xiàn)貨
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