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IDT70V639S12BCI中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IDT70V639S12BCI
廠商型號

IDT70V639S12BCI
功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
文件大小

187.41 Kbytes
頁面數(shù)量

23 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-4 17:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IDT70V639S12BCI

  • 功能描述：

    IC SRAM 2.25MBIT 12NS 256BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    3,000

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    8K(1K x 8)

  • 速度：

    400kHz

  • 接口：

    I²C，2 線串口

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-SOIC

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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