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IDT71024S20Y	文件：68.84 Kbytes Page：8 Pages	CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71024S20Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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IDT71024S20YI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71024S20TYG	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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71024S20YG	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71024S20YGI	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IDT71024S20Y
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
1Mb（128K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
20ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市宏世佳電子科技有限公司	IDT71024S20Y	IDT	2023+	SOJ	3783	全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售	詢價
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更多IDT71024S20Y供應(yīng)商更新時間2024-12-21 11:29:00

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