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IDT71124S20Y

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71124S20Y

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71124S20YI

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71124S20YI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71124S20YI8

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71124S20YG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71124S20YGI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產品屬性

  • 產品編號:

    IDT71124S20Y

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    20ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    32-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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