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71256SA25PZG	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71256SA25PZGI	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71256SA25TPG	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71256SA25TPGI	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71256SA25YG	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71256SA25PZ	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71256SA25T	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71256SA25TP	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71256SA25Y	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IDT71256SA25YG
功能描述：
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
RoHS：
是
類別：
集成電路(IC) >> 存儲器
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
2,500
系列：
- 格式 -
存儲器：
EEPROMs - 串行
存儲器類型：
EEPROM
存儲容量：
1K(128 x 8)
速度：
100kHz
接口：
UNI/O?（單線）
電源電壓：
1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
8-MSOP
包裝：
帶卷(TR)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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