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71V2556S133BGG

3.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2556S133BGGI

3.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2556S133PFG

128Kx363.3VSynchronousZBT?SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2556S133PFG

3.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2556S133PFGI

128Kx363.3VSynchronousZBT?SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2556S133PFGI

3.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V2556S133BG

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V2556S133BGI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V2556S133BQ

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V2556S133BQI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V2556S133PF

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V2556S133PFI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDT71V2556S133PFGI

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,000

  • 系列：

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度：

    45ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    48-VFBGA（6x8）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IDT
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更多IDT71V2556S133PFGI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-1 16:30:00

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