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IDT71V25761S200BG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IDT71V25761S200BG
廠商型號

IDT71V25761S200BG

功能描述

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

文件大小

513.179 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-3 17:51:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IDT71V25761S200BG

  • 功能描述:

    IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    2,000

  • 系列:

    MoBL® 格式 -

  • 存儲(chǔ)器:

    RAM

  • 存儲(chǔ)器類型:

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度:

    45ns

  • 接口:

    并聯(lián)

  • 電源電壓:

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    48-VFBGA(6x8)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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