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IDT71V3557S80BQ

128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs

Description TheIDT71V3557/59are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-bit)synchronousSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.Theyaredesignedtoeliminatedeadbuscycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesandreads.ThustheyhavebeengiventhenameZBTTM,or

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3557S80BQ

包裝：托盤 封裝/外殼：165-TBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V3557S80BQI

128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs

Description TheIDT71V3557/59are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-bit)synchronousSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.Theyaredesignedtoeliminatedeadbuscycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesandreads.ThustheyhavebeengiventhenameZBTTM,or

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3557S80BQG

Synchronous ZBT SRAMs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3557S80BQGI

Synchronous ZBT SRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3557S80BQI

包裝：托盤 封裝/外殼：165-TBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V3557S80BQI8

包裝：托盤 封裝/外殼：165-TBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V3557S80PF

128Kx36,256Kx18,3.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounter,Flow-ThroughOutputs

Description TheIDT71V3557/59are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-bit)synchronousSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.Theyaredesignedtoeliminatedeadbuscycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesandreads.ThustheyhavebeengiventhenameZBTTM,or

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3557S80PFG

SynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3557S80PFGI

SynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3557S80PFI

128Kx36,256Kx18,3.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounter,Flow-ThroughOutputs

Description TheIDT71V3557/59are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-bit)synchronousSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.Theyaredesignedtoeliminatedeadbuscycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesandreads.ThustheyhavebeengiventhenameZBTTM,or

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71V3557S80BQ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IDT71V3557S80BQ供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 16:30:00

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