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IDT71V35761S166BG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IDT71V35761S166BG
廠商型號(hào)

IDT71V35761S166BG

功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

文件大小

282.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-17 12:33:00

IDT71V35761S166BG規(guī)格書詳情

Description

The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle.

Features

◆128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

Commercial and Industrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

◆LBOinput selects interleaved or linear burst mode

◆Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆3.3V core power supply

◆Power down controlled by ZZ input

◆3.3V I/O

◆Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)

◆Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IDT71V35761S166BG

  • 功能描述:

    IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    2,000

  • 系列:

    MoBL® 格式 -

  • 存儲(chǔ)器:

    RAM

  • 存儲(chǔ)器類型:

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度:

    45ns

  • 接口:

    并聯(lián)

  • 電源電壓:

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    48-VFBGA(6x8)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IDT
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119-PBGA(14x22)
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