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IDT71V3579S75PFGI

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3579S75BGG

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,Flow-ThroughOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3579S75BGGI

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,Flow-ThroughOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3579S75BQG

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,Flow-ThroughOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3579S75BQGI

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,Flow-ThroughOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3579S75PFG

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,Flow-ThroughOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDT71V3579S75PFGI

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,000

  • 系列：

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度：

    45ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    48-VFBGA（6x8）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IDT71V3579S75PFGI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 17:23:00

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