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IDT71V416VL10BEG

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416VL10BEGI

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416VL10BEGI

Package：48-TFBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V416VL10BEGI8

Package：48-TFBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

Renesas Electronics America Inc

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Renesas Electronics America Inc

IDT71V416VL10PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416VL10PHGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416VL10YG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416VL10YGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IDT71V416VL10BEG

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    576

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    閃存

  • 存儲器類型：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    512M（64M x 8）

  • 速度：

    -

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 寬）

  • 供應商設備封裝：

    48-TSOP

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    497-5040

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IDT71V416VL10BEG供應商 更新時間2025-3-12 9:01:00

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