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IDT71V546S100PFI

128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V546S100PFI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V546S100PFI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V546S100PFG

128Kx36,3.3VSynchronousSRAMwithZBT?FeatureBurstCounterandPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36memoryconfiguration,pipelinedoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-133MHz (4.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedregisteredoutputseliminatethe needtocontrolOE ◆Singl

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V546S100PFG

SynchronousSRAMwithZBTFeatureBurstCounterandPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V546S100PFG

3.3VSynchronousSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V546S100PFGI

3.3VSynchronousSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V546S100PFGI

128Kx36,3.3VSynchronousSRAMwithZBT?FeatureBurstCounterandPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36memoryconfiguration,pipelinedoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-133MHz (4.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedregisteredoutputseliminatethe needtocontrolOE ◆Singl

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V546S100PFGI

SynchronousSRAMwithZBTFeatureBurstCounterandPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V546S100PF

128Kx36,3.3VSynchronousSRAMwithZBTFeature,BurstCounterandPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71V546S100PFI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
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更多IDT71V546S100PFI供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 14:00:00

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