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IDT71V65602S133BG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S133BG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V65602S133BGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S133BG8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V65602S133BQ

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S133BQI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S133PF

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S133PFI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71V65602S133BG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
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119-PBGA(14x22)
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更多IDT71V65602S133BG供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 10:50:00

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