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IDT71V67603S166PFG

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67603S166PFGI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V67603S166BQ

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67603S166BQG

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67603S166PFG

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V67603S166BGG

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67603S166BGGI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67603S166BQG

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67603S166BQGI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

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Integrated Device Technology, Inc.

詳細參數

  • 型號：

    IDT71V67603S166PFG

  • 功能描述：

    IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    45

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    128K（8K x 16）

  • 速度：

    15ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應商設備封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    70V25S15PF

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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100-TQFP(14x14)
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更多IDT71V67603S166PFG供應商 更新時間2025-2-7 17:30:00

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