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71V67703S75BG	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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71V67703S75BQGI	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67703S75PFG	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67703S75PFGI	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71V67703S75BG	文件：975.41 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67703S75BGI	文件：975.41 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IDT71V67703S75BGGI
功能描述：
IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA
RoHS：
是
類別：
集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
45
系列：
- 格式 -
存儲(chǔ)器：
RAM
存儲(chǔ)器類型：
SRAM - 雙端口，異步
存儲(chǔ)容量：
128K（8K x 16）
速度：
15ns
接口：
并聯(lián)
電源電壓：
3 V ~ 3.6 V
工作溫度：
0°C ~ 70°C
封裝/外殼：
100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
100-TQFP（14x14）
包裝：
托盤
其它名稱：
70V25S15PF

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDT71V67703S75BGGI	IDT	23+	119-PBGA(14x22)	39257	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
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