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IDW30G65C5

650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW30G65C5

SiC Silicon Carbide Diode

1Description ThinQ!?Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyforthe SiCSchottkyBarrierdiodes.Thankstothemorecompactdesignandthinwafer technology,thenewfamilyofproductsshowsimprovedefficiencyover allloadconditions,resultingfromboththeimprovedtherma

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IDW30G65C5

SiC Schottky DIODE

FEATURES ·HighSurgecurrentcapability ·TemperatureIndependentSwithingBehavior ·NoReverseRecovery ·NoForwardRecovery APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·PowerFactorCorrection

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IDW30G65C5_12

ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

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IDW30G65C5FKSA1

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3

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IDW30G65C5XKSA1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IDW30G65C5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-12 23:00:00