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IDW40G65C5B

Silicon Carbide Schottky Diode

FEATURES ·Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ·Highsurgecurrentcapability ·Optimizedforhightemperatureoperation ·Benchmarkswitchingbehavior ·Noreverserecovery APPLICATIONS ·Solarinverter ·Powerfactorcorrection ·Switchmodepowersupply

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IDW40G65C5B

650V SiC Schottky Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW40G65C5B_15

650V SiC Schottky Diode

InfineonInfineon Technologies AG

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IDW40G65C5BXKSA1

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3

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IDW40G65C5BXKSA2

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3

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IDW40G65C5

SiCSiliconCarbideDiode

1Description ThinQ!?Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyfortheSiC SchottkyBarrierdiodes.Thankstothemorecompactdesignandthin-wafer technology,thenewfamilyofproductsshowsimprovedefficiencyoverallload conditions,resultingfromboththeimprovedtherm

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IDW40G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

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更多IDW40G65C5B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-26 8:01:00

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