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IGB01N120H2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGB01N120H2
廠商型號(hào)

IGB01N120H2
參數(shù)屬性

IGB01N120H2 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
功能描述

HighSpeed 2-Technology
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
文件大小

1.18644 Mbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-10-25 20:00:00

IGB01N120H2規(guī)格書詳情

IGB01N120H2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGB01N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IGB01N120H2ATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，1A

  • 開關(guān)能量：

    140μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    13ns/370ns

  • 測試條件：

    800V，1A，241 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO263
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
infineon
23+
TO-263
14000
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO26332
6000
誠信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
45000
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
NA/
3347
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-263
1612
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
INFINEON
2023+
D2PAK(TO
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)

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