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IGC13T120T8L分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IGC13T120T8L |
參數(shù)屬性 | IGC13T120T8L 封裝/外殼為模具;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL |
功能描述 | TRENCHSTOPTM IGBT4 Low Power Chip |
封裝外殼 | 模具 |
文件大小 |
362.71 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-27 10:03:00 |
IGC13T120T8L規(guī)格書詳情
IGC13T120T8L屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IGC13T120T8L晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
Features:
? 1200V trench & field stop technology
? Low switching losses
? Positive temperature coefficient
? Easy paralleling
Recommended for:
? Low / medium power modules
Applications:
? Low / medium power drives
產品屬性
更多- 產品編號:
IGC13T120T8LX1SA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.07V @ 15V,8A
- 輸入類型:
標準
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應商器件封裝:
模具
- 描述:
IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
-- |
14253 |
原包裝原標現(xiàn)貨,假一罰十, |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
7000 |
詢價 | ||||
Infineon Technologies |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
K-J |
10617 |
只有原裝,請來電咨詢 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |