IGC193T120T12RMAX7SA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-英飛凌

原廠料號：IGC193T120T12RMAX7SA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：IGBT 1200V 200A

IGC193T120T12RMAX7SA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝的IGC193T120T12RMAX7SA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

• 芯片型號：

  igc193t120t12rmax7sa1

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱：

  英飛凌科技股份公司

• 資料說明：

  IGBT 1200V 200A