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IGC36T120T8L分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGC36T120T8L
廠商型號

IGC36T120T8L

參數屬性

IGC36T120T8L 封裝/外殼為模具;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 35A DIE

功能描述

1200V trench & field stop technology
IGBT 1200V 35A DIE

文件大小

321.51 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-12-24 8:00:00

IGC36T120T8L規(guī)格書詳情

IGC36T120T8L屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IGC36T120T8L晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features:

? 1200V trench & field stop technology

? Low switching losses

? Positive temperature coefficient

? Easy paralleling

Recommended for:

? Low / medium power modules

Applications:

? Low / medium power drives

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IGC36T120T8LX1SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.07V @ 15V,35A

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IGBT 1200V 35A DIE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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