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IGC36T120T8L分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IGC36T120T8L |
參數屬性 | IGC36T120T8L 封裝/外殼為模具;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 35A DIE |
功能描述 | 1200V trench & field stop technology |
文件大小 |
321.51 Kbytes |
頁面數量 |
9 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2024-12-24 8:00:00 |
IGC36T120T8L規(guī)格書詳情
IGC36T120T8L屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IGC36T120T8L晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
Features:
? 1200V trench & field stop technology
? Low switching losses
? Positive temperature coefficient
? Easy paralleling
Recommended for:
? Low / medium power modules
Applications:
? Low / medium power drives
產品屬性
更多- 產品編號:
IGC36T120T8LX1SA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.07V @ 15V,35A
- 輸入類型:
標準
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應商器件封裝:
模具
- 描述:
IGBT 1200V 35A DIE
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
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35960 |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
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Infineon Technologies |
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模具 |
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23+ |
7000 |
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INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
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Infineon Technologies |
24+ |
模具 |
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INFINEON |
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