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IGD01N120H2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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原廠料號：IGD01N120H2品牌：Infineon(英飛凌)

原廠原裝現(xiàn)貨

IGD01N120H2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的IGD01N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IGD01N120H2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    912.52 kb

  • 資料說明：

    HighSpeed 2-Technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IGD01N120H2BUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，1A

  • 開關(guān)能量：

    140μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    13ns/370ns

  • 測試條件：

    800V，1A，241 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO252-3-11

  • 描述：

    IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科國際電子(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13682375875

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23306107

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振興路120號賽格科技園4棟5Ｂ13室

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