IGN1011L1200 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

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廠家型號(hào)：
IGN1011L1200
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
庫(kù)存數(shù)量：
79000
產(chǎn)品封裝：
N/A
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-11 11:06:00

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原廠料號(hào)：IGN1011L1200

一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇

IGN1011L1200是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商Integra Technologies Inc.生產(chǎn)封裝N/A/PL84A1的IGN1011L1200晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

芯片型號(hào)：
IGN1011L1200
規(guī)格書：
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產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
IGN1011L1200
制造商：
Integra Technologies Inc.
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
HEMT
頻率：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
16.8dB
功率 - 輸出：
1250W
封裝/外殼：
PL84A1
供應(yīng)商器件封裝：
PL84A1
描述：
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

供應(yīng)商

企業(yè)：
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
董先生李先生
手機(jī)：
19924492152
詢價(jià)：
電話：
0755-82542579 19924492152
地址：
深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場(chǎng)C座26J

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