IGN1214M300_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-Integra Technologies Inc.

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原廠料號(hào):IGN1214M300品牌:Integra Technologies Inc.

資料說(shuō)明:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1214M300是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商Integra Technologies Inc.生產(chǎn)封裝的IGN1214M300晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    ign1214m300

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  • 資料說(shuō)明:

    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IGN1214M300

  • 制造商:

    Integra Technologies Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Integra Technologies Inc.
24+
NA
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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