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IGP03N120H2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGP03N120H2
廠商型號

IGP03N120H2

參數(shù)屬性

IGP03N120H2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

功能描述

HighSpeed 2-Technology
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

346.62 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-23 8:02:00

IGP03N120H2規(guī)格書詳情

IGP03N120H2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGP03N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IGP03N120H2XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 開關能量:

    290μJ

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    9.2ns/281ns

  • 測試條件:

    800V,3A,82 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO220-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
22+
TO-220
93895
詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
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INFINEON/英飛凌
23+
NA/
3808
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
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原廠渠道供應,大量現(xiàn)貨,原型號開票。
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INFINEON
23+
3A,1200V,不帶D
20000
全新原裝假一賠十
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公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
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2016+
TO-220
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INFINEON
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P-TO220-3-1
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