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IGW08T120 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IGW08T120參考圖片

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原廠料號：IGW08T120品牌：Infineon

原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保

IGW08T120是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝標準封裝/TO-247-3的IGW08T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IGW08T120

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大小：

    352.99 kb

  • 資料說明：

    Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IGW08T120FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT，溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，8A

  • 開關(guān)能量：

    1.37mJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    40ns/450ns

  • 測試條件：

    600V，8A，81 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 16A 70W TO247-3

供應商

  • 企業(yè)：

    浙江永芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林小姐

  • 手機：

    18758020211

  • 詢價：
  • 電話：

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  • 地址：

    中國廣東深圳市深圳市福田區(qū)中航路佳和大廈5C015

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