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IGW15N120H3

High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,R

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IGW15N120H3

1200V high speed switching series third generation

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IGW15N120H3_14

1200V high speed switching series third generation

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IGW15N120H3FKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 30A 217W TO247-3

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IKW15N120H3

1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

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IKW15N120H3

HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMod

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IGW15N120H3

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IGW15N120H3供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 9:49:00

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