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IGW30N60T分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGW30N60T
廠商型號

IGW30N60T
參數(shù)屬性

IGW30N60T 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
功能描述

Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology
IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
文件大小

495.77 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-7 9:53:00

IGW30N60T規(guī)格書詳情

IGW30N60T屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGW30N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features:

? Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)

? Maximum Junction Temperature 175°C

? Short circuit withstand time 5?s

? Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterruptible Power Supply

? TRENCHSTOP? and Fieldstop technology for 600V applications

offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

? Positive temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Low Gate Charge

? Qualified according to JEDEC1

for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IGW30N60TPXKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    710μJ（開），420μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    15ns/179ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10.5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO247-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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