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IGZ100N65H5 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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原廠料號：IGZ100N65H5品牌：Infineon/英飛凌

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IGZ100N65H5是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PG-TO247-4/TO-247-4的IGZ100N65H5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IGZ100N65H5

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    1948.01 kb

  • 資料說明：

    650V IGBT high speed series fifth generation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IGZ100N65H5XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop? 5

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    850μJ（開），770μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/421ns

  • 測試條件：

    400V，50A，8 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-4

  • 描述：

    IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市珩瑞科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

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  • 傳真：

    0755-82578309

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北海外裝飾大廈B座7B33

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