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IGZ50N65H5 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IGZ50N65H5參考圖片

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原廠料號：IGZ50N65H5品牌：INFINEON/英飛凌

原廠原裝,假一罰十

IGZ50N65H5是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247-4的IGZ50N65H5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IGZ50N65H5

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    1951.91 kb

  • 資料說明：

    650V IGBT high speed series fifth generation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IGZ50N65H5XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop? 5

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    410μJ（開），190μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    20ns/250ns

  • 測試條件：

    400V，25A，12 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-4

  • 描述：

    IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鑫煒納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13632548665

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-22206755

  • 傳真：

    0755-22213440

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)上航大廈西座410

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