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IGZ50N65H5分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGZ50N65H5
廠商型號

IGZ50N65H5

參數屬性

IGZ50N65H5 封裝/外殼為TO-247-4;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4

功能描述

650V IGBT high speed series fifth generation
IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4

封裝外殼

TO-247-4

文件大小

1.95191 Mbytes

頁面數量

13

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-24 23:00:00

IGZ50N65H5規(guī)格書詳情

IGZ50N65H5屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IGZ50N65H5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IGZ50N65H5XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop? 5

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    410μJ(開),190μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    20ns/250ns

  • 測試條件:

    400V,25A,12 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-4

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO247-4

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4

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