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IGZ50N65H5分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IGZ50N65H5 |
參數屬性 | IGZ50N65H5 封裝/外殼為TO-247-4;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4 |
功能描述 | 650V IGBT high speed series fifth generation |
封裝外殼 | TO-247-4 |
文件大小 |
1.95191 Mbytes |
頁面數量 |
13 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-24 23:00:00 |
IGZ50N65H5規(guī)格書詳情
IGZ50N65H5屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IGZ50N65H5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
IGZ50N65H5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop? 5
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 開關能量:
410μJ(開),190μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
20ns/250ns
- 測試條件:
400V,25A,12 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-4
- 供應商器件封裝:
PG-TO247-4
- 描述:
IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-247-4 |
1076 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-4 |
6000 |
原裝現貨正品 |
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Infineon(英飛凌) |
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TO2474 |
6000 |
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23+ |
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Infineon/英飛凌 |
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Infineon |
23+ |
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500 |
原裝正品 |
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INFINEON/英飛凌 |
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三年內 |
1983 |
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Infineon(英飛凌) |
2112+ |
PG-TO247-4 |
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INFINEON |
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