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IHFW40N65R5S

Reverse-Conducting IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology with monolithic body diode in fully isolated package

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHFW40N65R5SXKSA1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IHFW40N65R5SXKSA1

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N65R5

TrenchField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@VGE=15V,IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·SolarConverters ·WeldingConverters ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IHW40N65R5

highruggednessandstabletemperaturebehavior

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N65R5

ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IHFW40N65R5S供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 8:12:00