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IHW15N120E1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW15N120E1
廠商型號

IHW15N120E1
參數(shù)屬性

IHW15N120E1 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching
IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

1.90384 Mbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-19 23:00:00

IHW15N120E1規(guī)格書詳情

IHW15N120E1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW15N120E1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IHW15N120E1XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    300μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3

  • 描述：

    IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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TO-247
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