首頁>IHW15N120R2>詳情

IHW15N120R2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IHW15N120R2參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IHW15N120R2品牌：INFINEON/英飛凌

代理渠道/只做原裝/可含稅

IHW15N120R2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-3P/TO-247-3的IHW15N120R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IHW15N120R2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    201.5 kb

  • 資料說明：

    HighSpeed 2-Technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IHW15N120R2

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.75V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    900μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/282ns

  • 測試條件：

    600V，15A，14.8 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 357W TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳小姐

  • 手機：

    18118707592

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23616010

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座35層B03

相近型號