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IHW25N120R2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IHW25N120R2參考圖片

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原廠料號(hào)：IHW25N120R2品牌：INFINEON

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IHW25N120R2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IHW25N120R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IHW25N120R2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    407.7 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IHW25N120R2FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，25A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.59mJ

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/324ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 365W TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市亞泰盈科電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    18902849575

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-83759959-806/18902849575

  • 傳真：

    0755-83759919

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3006佳和大廈B座1410-1411

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