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IHW30N120R2FKSA1

INFINEON

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè):天津市博通航睿技術(shù)有限公司

IHW30N120R2FKSA1

INFINEON

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè):天津市博通航睿技術(shù)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IHW30N120R2FKSA1

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
23+
7000
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英飛凌
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TO-247
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多IHW30N120R2FKSA1供應商 更新時間2025-1-11 15:00:00