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IHW30N135R3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IHW30N135R3參考圖片

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原廠料號(hào)：IHW30N135R3品牌：Infineon(英飛凌)

原廠原裝現(xiàn)貨

IHW30N135R3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/TO-247-3的IHW30N135R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IHW30N135R3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大小：

    1720.64 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IHW30N135R3FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.93mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/337ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3

  • 描述：

    IGBT 1350V 60A 349W TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科國(guó)際電子(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13682375875

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23306107

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振興路120號(hào)賽格科技園4棟5Ｂ13室

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