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IHW30N135R3

ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

Features: ?Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability ?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly ?TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N135R3

ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

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更多IHW30N135R3IC供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 11:00:00

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