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IHW40N60RF

Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N60RF

powerful monolithic body diode with low forward voltage

InfineonInfineon Technologies AG

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IHW40N60RF_15

Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only

InfineonInfineon Technologies AG

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IHW40N60RFFKSA1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3

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IHW40N60RFKSA1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3

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IHW40N60T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode

Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?TrenchStop? andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat

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IHW40N60T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode

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IKW40N60DTP

600VDuoPackIGBTanddiode

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IRFPS40N60K

EnhancedBodyDiodedV/dtCapability

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFPS40N60K

HEXFET-RPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IHW40N60RF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IHW40N60RF供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 15:55:00

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