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IHW50N65R5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IHW50N65R5 |
| 參數(shù)屬性 | IHW50N65R5 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 80A TO247-3 |
| 功能描述 | Qualified according to JESD-022 for target applications |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.91422 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-19 10:18:00 |
IHW50N65R5規(guī)格書詳情
IHW50N65R5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW50N65R5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IHW50N65R5XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，50A
- 開關(guān)能量：
740μJ（開），180μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
26ns/220ns
- 測(cè)試條件：
400V，25A，8 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3
- 描述：
IGBT 650V 80A TO247-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
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Infineon |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
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Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-247-3 |
19850 |
原裝正品,假一賠十 |
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Infineon Technologies |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||||
INFINEON/英飛凌 |
2019+ |
5500 |
詢價(jià) |
