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IHY15N120R3

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHY15N120R3XKSA1

Package:TO-247-3 變式;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 30A 254W TO247HC-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW15N120R3

MaterialContentDataSheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW15N120R3

ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

Features: ?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly ?TRENCHSTOP?technologyapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswitchingcapabilit

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IHY15N120R3

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IHY15N120R3供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:52:00