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IIRFR15N20D	文件：335.89 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFR15N20DTRL	文件：3.78314 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR15N20DTRPBF	文件：1.11558 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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MTM15N20	文件：173.34 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulatorsconverters,solenoidandrealydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM15N20	文件：90.47 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTMOS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM15N20	文件：305.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STU15N20	文件：1.76956 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
STUD15N20	文件：154.52 Kbytes Page：10 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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更多IIRFR15N20D供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 11:04:00

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