IKB03N120H2_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A艾睿國際

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    IKB03N120H2

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量:

    115000

  • 產(chǎn)品封裝:

    PG-TO263-3-2

  • 生產(chǎn)批號:

    2112+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-10-23 15:00:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:IKB03N120H2品牌:Infineon(英飛凌)

1000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,

  • 芯片型號:

    IKB03N120H2

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    431.57 kb

  • 資料說明:

    HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    IKB03N120H2

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商

  • 企業(yè):

    艾睿國際(香港)有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    蔡小姐

  • 手機:

    15813737183

  • 詢價:
  • 電話:

    15813737183

  • 地址:

    香港上環(huán)永樂街121-125號永達商業(yè)大廈3樓A室