首頁>IKB03N120H2>詳情

IKB03N120H2_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A賽特興科技2部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    IKB03N120H2

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    7000

  • 產(chǎn)品封裝：

    標準封裝

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-17 16:00:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IKB03N120H2品牌：Infineon(英飛凌)

原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品

  • 芯片型號：

    IKB03N120H2

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    431.57 kb

  • 資料說明：

    HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    IKB03N120H2

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市賽特興科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機：

    18988777135

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83210599

  • 傳真：

    0755-83210599

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座1201A室

相近型號